现代系统日益增长的需求已经突破了光电隔离技术的局限性。 例如，共模瞬态抗扰度 (CMTI) 在总线电压和电流较大的高功率系统中至关重要。 IGBT 需要更快地开关，以减少开关损耗并降低功耗。
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当输入信号Vi经晶体管BG1和BG2的前级放大后，驱动光电耦合器左侧的LED发光，并全部被右侧光敏管吸收，转换为电信号。该信号由后级电路BG3放大，管子经过电容C3后，发射极输出一个未失真的放大信号V0nvmenvme固态硬盘继电商只一样于一些面板开关，并不能缓解瞬时电流多少。 双向可控硅需要调控其导通角，需要缓解瞬时电流多少的多少。 nvmenvme固态硬盘继电商事实上是以双向可控硅应以要零件制作而成的，各个的是nvmenvme固态硬盘继电商的事业直流电压值和调控直流电压值是由光耦等内部电线分格的。
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