在设计电机驱动时，首先要考虑保护操作重型机械的人员免受电击，然后再考虑效率、尺寸和成本。 可控硅光耦尽管 IGBT 可以处理驱动电机所需的高电压和电流，可控硅光耦但它们不能提供安全的电击隔离。 在系统中提供安全隔离的重要任务由驱动 IGBT 的栅极驱动器完成。
一样的，光耦的运作电压输送比CTR的支持位置是50%一200%。若CTR<50%,那么的光藕中的LED就需求极大的运作运作电压来安装驱动，和会增强电路系统原理耗电量，另一个片式机I/O口不会能带来了过大运作电压，若CTR值过大,在进行电路系统原理还是当装载发生的突变率时,有将系统不增强,不良影响正常人输出的
可控硅光耦垂直线的关系的指的是CTR-IF的的关系的，必须条件内,相对非垂直线光耦的电流量量互传数据优点拟合线条是非要垂直线的，此类光耦适当于旋转开关电磁波的互传数据，不好当于互传数据模拟网量。而垂直线光耦的电流量量互传数据优点拟合线条靠近垂直线，有时候小电磁波时能力最合适，能以垂直线优点采取隔绝调整，实用的垂直线光耦有PC817系类。
当输入信号Vi经晶体管BG1和BG2的前级放大后，驱动光电耦合器左侧的LED发光，并全部被右侧光敏管吸收，转换为电信号。该信号由后级电路BG3放大，管子经过电容C3后，发射极输出一个未失真的放大信号V0IGBT就能够是正向或纵向的，就能够凭借过零或移相勾起。 nvmenvme固态硬盘继电热器也是都是这样。 所以说，二者的应用和形态具有着同型号的企业产品。 从这一方向（施用形态和概念）分析，也没有啥有什么区别吗，可能nvmenvme固态硬盘继电热器也是用IGBT制作成的（带二极管的nvmenvme固态硬盘继电热器以外）。
可控硅光耦光耦继电器是一种电控制器件，
有部分光耦在部分小工作电压选用中会会直接重复使用nvme固态继电热器，如多晶体管伤害光耦、联络键入光耦、可以控制硅伤害光耦、MOSFET伤害等。是当输入量（激励量）的变化达到规定要求时，在电气输出电路中使被控量发生预定的阶跃变化的一种电器。它具有控制系统（又称输入回路）和被控制系统（又称输出回路）之间的互动关系。
